KTC4380-Y-RTF/H 时间：2025/12/28 14:36:58 阅读：11

KTC4380-Y-RTF/H 是一款由 KEC Corporation（现为 Kinetic Technologies）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A（在 Vgs=10V）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 12mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223
　　功率耗散（Pd）：1.25W

特性

KTC4380-Y-RTF/H 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其适用于高频开关应用。
　　该器件的封装形式为 SOT-223，具有良好的散热能力，适合在空间受限的电路设计中使用。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如 5V 和 10V），便于与各种控制电路配合使用。
　　内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要快速关断的场合。KTC4380-Y-RTF/H 还具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
　　该 MOSFET 的工作温度范围宽广，适用于工业级和汽车电子应用，能够在恶劣环境中稳定运行。

应用

KTC4380-Y-RTF/H 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及便携式电子产品中的功率开关控制。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效的能量转换。在负载开关应用中，它能够实现快速的开关控制，减少静态电流和系统功耗。
　　由于其良好的热稳定性和导通性能，该器件也广泛用于服务器电源、通信设备电源模块、工业控制设备以及汽车电子系统中的功率管理模块。