晶体管类型：NPN型
　　封装形式：SOT-89
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　频率范围：最高可达1GHz
　　增益（hFE）：典型值为50-200（具体取决于电流和频率）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

KTC4379-Y-RTF/H 晶体管的主要特性之一是其优异的高频性能，能够在高达1GHz的频率范围内稳定工作。这种晶体管在射频放大器中表现出色，具有低噪声系数和高线性度，使其成为无线通信系统中射频前端的理想选择。此外，其SOT-89封装不仅提供了良好的散热能力，还确保了在高频条件下的机械稳定性和可靠性。
　　该晶体管还具有较高的增益带宽积（fT），通常可以达到250MHz以上，这使得它在需要高增益和宽带宽的应用中非常有用。例如，在射频功率放大器或低噪声放大器（LNA）中，KTC4379-Y-RTF/H 能够提供出色的信号放大效果。
　　另一个重要特性是其良好的温度稳定性。由于采用了先进的硅半导体工艺，KTC4379-Y-RTF/H 在极端温度条件下也能保持稳定的性能，适用于户外设备和工业级应用。此外，该晶体管具有较低的寄生电容，这有助于减少信号失真，提高电路的响应速度和整体性能。
　　最后，KTC4379-Y-RTF/H 还具有良好的可重复性和一致性，适合在大规模生产中使用。其标准化的封装形式和电气参数使得电路设计和替换变得更加简单和可靠。

KTC4379-Y-RTF/H 晶体管主要应用于射频和高频电子设备中。常见的应用包括射频放大器、无线通信模块、Wi-Fi路由器、蓝牙设备、射频测试仪器以及射频信号发生器等。在无线基础设施中，如基站和中继器，KTC4379-Y-RTF/H 可用于低噪声放大器（LNA）或前置放大器，以提高信号接收的灵敏度和质量。
　　此外，它还可以用于音频放大器的高频补偿电路，确保音频信号在高频段的稳定性。在消费类电子产品中，该晶体管可能用于无线音频传输设备、遥控器、智能家电的射频模块等。由于其良好的温度稳定性和可靠性，KTC4379-Y-RTF/H 也适用于工业控制和自动化设备中的射频通信部分。

KTC4379-Y-RTF/H 的替代型号包括2SC3355、BFQ59和KTC4381。这些晶体管在某些应用中可以替代KTC4379-Y-RTF/H，但需要根据具体电路设计和性能要求进行验证。