KTC4379-O-RTF/P 时间：2025/9/11 17:41:18 阅读：13

KTC4379-O-RTF/P 是由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该器件主要用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，适用于通信设备、无线模块、射频前端电路等高频应用场合。KTC4379-O-RTF/P 采用 TO-92RTF 封装形式，具备良好的高频响应和热稳定性，适合用于需要高频率增益和低噪声表现的电路设计。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压 VCEO：30V
　　最大集电极电流 IC：150mA
　　最大功耗 PD：300mW
　　最大工作频率 fT：100MHz
　　增益带宽积 fT：100MHz
　　噪声系数 NF：4dB（典型值）
　　封装形式：TO-92RTF

特性

KTC4379-O-RTF/P 具备优异的高频性能，适合用于射频和中频放大电路。其最大工作频率可达 100MHz，确保在高频条件下仍能维持稳定的增益表现。该晶体管的低噪声系数（典型值为 4dB）使其在低噪声放大器设计中表现出色，适用于接收端前端信号放大。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为 30V，集电极电流最大可达 150mA，具备良好的耐压和电流承受能力，适应多种电源和负载条件。在功耗方面，其最大功耗为 300mW，适合低功耗设计应用。
　　采用 TO-92RTF 封装，具备良好的热稳定性和焊接性能，适合自动化生产和表面贴装工艺。该封装形式也提供了良好的散热能力，有助于提高器件在高频率或高负载下的可靠性。
　　KTC4379-O-RTF/P 的电气特性在宽温度范围内保持稳定，可在工业级温度范围内正常工作，适用于各种通信设备、无线模块、音频放大器以及通用高频放大电路。

应用

KTC4379-O-RTF/P 主要应用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计中，广泛用于无线通信设备、FM 收音机、对讲机、无线模块等射频前端电路。其低噪声特性也使其适用于低噪声放大器（LNA）的设计，特别是在接收端信号较弱的场景中。此外，该晶体管还可用于音频放大电路、振荡器、混频器等高频模拟电路设计。由于其良好的热稳定性和封装适应性，KTC4379-O-RTF/P 也常用于消费类电子产品、工业控制设备和便携式电子设备中的信号放大和处理电路。