时间：2025/12/28 15:59:00
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KTC4378Y 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET以其低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性而著称，适用于各种高频率开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻：3.7mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
KTC4378Y MOSFET具有多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，提高系统效率；其高耐压能力确保了在高压应用中的稳定运行；此外，该器件的热阻较低，有助于在高功率应用中保持温度稳定，避免过热损坏。KTC4378Y采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能，使其在高频应用中表现尤为出色。
此MOSFET还具备良好的抗静电能力，能够承受一定程度的静电放电，从而提高器件的可靠性。封装设计上，KTC4378Y通常采用DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有较小的尺寸和良好的热管理能力，适合高密度PCB布局。此外，其栅极驱动电压范围宽，可兼容多种驱动电路设计。
KTC4378Y MOSFET主要用于电源管理领域，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、负载开关以及各种高效率电源供应器。它也非常适合用于需要高电流和低导通损耗的应用场景，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统等。由于其高可靠性和良好的热性能，KTC4378Y也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动车辆的电源管理系统等。
Si7485BDP, IRF1324S3PBF
