时间:2025/12/28 15:54:21
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KTC4377-D 是一款由KEXIN(科信)公司制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频应用。该器件采用先进的平面工艺和沟槽技术,提供低导通电阻、高耐压和大电流能力。其封装形式为TO-252(也称为DPAK),适合表面贴装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值,Vgs=10V)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装:TO-252(DPAK)
KTC4377-D 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和封装设计。其导通电阻非常低,典型值在Vgs=10V时仅为4.5mΩ,这使得它在高电流应用中能有效降低功率损耗并减少发热。该器件的漏源电压为30V,漏极电流可高达110A,适用于高功率密度的设计。
此外,KTC4377-D 采用了先进的沟槽技术和平面工艺,提供了良好的热稳定性和可靠性。TO-252封装具有良好的散热性能,适合表面贴装,适用于自动化生产流程。由于其高耐流能力和低导通电阻,该MOSFET广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统、开关电源等高功率应用。
同时,KTC4377-D 具有良好的栅极电荷特性,使得开关损耗较低,适用于高频开关应用。其栅源电压为±20V,确保在各种工作条件下稳定运行。该器件还具有良好的抗静电能力和过热保护能力,适用于工业级和汽车电子应用。
KTC4377-D 主要用于需要高电流和低导通电阻的功率电子设备中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电机驱动器、电动车控制器、LED照明电源、工业自动化设备以及各种功率管理模块。由于其高电流能力和低Rds(on),它也适用于高效率电源转换系统。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1104PBF, FDS6680, AUIRF1104S