KTC4376-Y-RTF 时间：2025/12/28 14:53:21 阅读：6

KTC4376-Y-RTF是一款由KEXIN（科信）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于多种电源管理与功率开关应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适合在中高功率电路中使用。KTC4376-Y-RTF的封装形式为SOT-223，适合表面贴装工艺，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动以及电池管理系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为8.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.2V ~ 2.5V
　　封装类型：SOT-223

特性

KTC4376-Y-RTF采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，从而减少了导通损耗，提高了整体系统的效率。其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达12A，适用于中高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，确保在各种工作条件下稳定运行。此外，KTC4376-Y-RTF具有较低的阈值电压（Vgs(th)），可在较低的栅极驱动电压下实现快速导通，适用于PWM控制和高频开关应用。
　　该MOSFET采用SOT-223封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的电路设计中使用。其工作温度范围从-55℃到+150℃，能够在严苛的环境条件下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。KTC4376-Y-RTF还具有良好的抗雪崩能力和高耐久性，能够承受短时间的过载和瞬态冲击，提高了系统的稳定性和安全性。
　　此外，KTC4376-Y-RTF的设计优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频应用中表现出色。该器件支持快速开关操作，适用于需要高效率和高速响应的电源管理电路。其低输入电容和跨导特性也有助于简化栅极驱动电路设计，降低系统复杂度。

应用

KTC4376-Y-RTF广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、LED照明驱动器以及电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效能的电源转换模块，如Buck、Boost和Flyback拓扑结构。在消费类电子产品中，该器件可用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。在工业自动化和控制系统中，KTC4376-Y-RTF可用于控制电机、继电器和其他高功率负载。此外，该MOSFET也适用于汽车电子应用，如车载充电器、电动助力转向系统和LED车灯驱动电路。