类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.8mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KTC4375-Y-RTF/H 具备一系列优异的电气和机械性能，适用于多种高功率应用场景。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻（RDS(on)）**：KTC4375-Y-RTF/H 的导通电阻在VGS=10V时可低至3.8毫欧，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使其特别适用于大电流、高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流和负载开关。
　　2. **高电流承载能力**：该MOSFET的最大漏极电流可达120A，能够在高功率负载下稳定运行，适用于电机驱动、电池管理系统等要求高电流能力的场合。
　　3. **高耐压性能**：其漏-源击穿电压为30V，适用于中低压电源应用，如3.3V、5V、12V和24V系统，常见于通信电源、工业控制、LED照明驱动等。
　　4. **热稳定性好**：TO-252封装具有良好的散热性能，确保MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的温升，提升系统可靠性。
　　5. **静电放电（ESD）保护能力强**：KTC4375-Y-RTF/H 的栅极具有较高的ESD耐受能力，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。
　　6. **兼容性强**：该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准逻辑电平驱动电路，便于与微控制器、PWM控制器等配合使用。

KTC4375-Y-RTF/H 适用于多种高功率、高频和高效率的电子系统设计，典型应用包括：
　　1. **电源管理系统**：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路，提高系统效率并减小电路体积。
　　2. **马达控制**：适用于直流马达、步进马达和BLDC（无刷直流马达）的驱动电路，提供高电流输出和低功耗特性。
　　3. **LED照明驱动**：在高功率LED驱动电源中，作为主开关器件，实现高效能调光和恒流控制。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电管理、电池保护电路中的高边或低边开关，提供可靠的高电流控制。
　　5. **工业自动化设备**：应用于工业控制电源、PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中的功率开关和继电器替代。
　　6. **服务器和通信电源**：在服务器电源模块、通信设备电源中作为高效率功率开关，满足高可靠性和高稳定性的要求。

SiR4375ADP-T1-GE3, IPD90P03P4-03, AO4375, FDMS7680