类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W

KTC4374-Y-RTK MOSFET 具有以下显著特性：
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 约为 2.9mΩ，非常适合用于高电流应用，如服务器电源、DC-DC 转换器和电机控制电路。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流高达 120A，在适当的散热条件下能够承受较大的负载电流，满足高性能电源系统的需求。此外，其最大漏源电压为 30V，适用于中低压电源管理系统。
　　再者，KTC4374-Y-RTK 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和焊接稳定性，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。该封装形式也有助于提高 PCB 布局的紧凑性。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 20V），使其适用于多种驱动电路，包括使用 5V 或 12V 栅极驱动电压的 PWM 控制器。这种灵活性增强了其在不同应用中的兼容性。
　　最后，KTC4374-Y-RTK 具有较高的耐用性和稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合工业级和汽车电子应用。

KTC4374-Y-RTK 主要应用于以下领域：
　　首先，该器件广泛用于同步整流的 DC-DC 降压转换器中，作为高边或低边开关，以提高转换效率并减少发热。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于服务器电源、通信设备电源和嵌入式系统的供电模块。
　　其次，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS），作为负载开关或充放电控制开关，实现高效能的电池管理方案。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　此外，KTC4374-Y-RTK 也常用于电机驱动电路、电源分配系统和负载开关控制模块中，适用于工业自动化设备、电动工具和电源适配器等应用场景。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载电源转换系统、车载娱乐系统（IVI）以及 LED 照明驱动电路，提供高效、稳定的功率控制方案。

SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF1405PBF, AO4406