KTC4217 时间：2025/12/28 15:49:24 阅读：9

KTC4217是一款N沟道增强型功率MOSFET，由东芝（Toshiba）公司生产，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大35mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

KTC4217的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大为35mΩ，非常适合高电流应用。
　　此外，KTC4217采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能和热管理能力。其高耐压特性（60V VDS）使其能够在中高压电源系统中稳定工作。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-220或TO-252，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。TO-220封装尤其适用于通孔安装，提供良好的机械稳定性和散热能力。
　　KTC4217还具有高抗雪崩能力，能够在瞬态电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和寿命。

应用

KTC4217广泛应用于多种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器以及电机驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源管理应用的理想选择。
　　在开关电源中，KTC4217常用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于笔记本电脑电源、通信设备电源和工业控制系统。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、负载开关和热插拔控制电路中，提供快速的开关响应和低损耗操作。
　　由于其优异的热性能和可靠性，KTC4217也适用于需要长时间运行的工业设备和汽车电子系统。