KTC4077DGR 时间：2025/8/17 1:12:00 阅读：21

KTC4077DGR 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id：10A
　　导通电阻 Rds(on)：23mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散：2W（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN5x6

特性

KTC4077DGR 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其最大漏源电压为 30V，适合中低压电源管理应用。该器件的栅源电压为 ±20V，具有较高的栅极耐压能力，提高了在高噪声环境中的可靠性。
　　此外，KTC4077DGR 采用 DFN5x6 封装，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度 PCB 设计。其最大漏极电流可达 10A，适用于需要较高电流承载能力的系统，如电机驱动器或大功率 LED 驱动。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，例如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关控制。此外，其内部结构优化，降低了寄生电容，有助于提升开关速度并减少开关损耗。

应用

KTC4077DGR 主要应用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电源分配系统和电池管理系统。它也常用于电机驱动器、LED 驱动器和工业自动化控制系统中作为高效率的功率开关器件。
　　在便携式电子产品中，KTC4077DGR 可作为负载开关用于管理不同电源域的供电，实现低功耗设计。在电机控制应用中，它可以作为 H 桥中的上下桥臂开关，实现高效 PWM 控制。
　　由于其高效率和小型化封装，该器件也被广泛应用于通信设备、服务器电源模块和工业控制设备中，作为主要的功率切换元件。