时间：2025/9/11 12:14:53
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KTC4075V-GR-RTK/PU 是由 KEC Corporation 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换、开关应用以及需要高功率密度的系统中。它具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
漏极电流 Id：12A（连续）
导通电阻 Rds(on)：约 15mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
KTC4075V-GR-RTK/PU 具有出色的导通性能和快速开关特性，适合用于高效率的电源管理应用。其低导通电阻可以显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高电流下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。此外，其封装形式为 SOP-8，适用于表面贴装技术，便于自动化生产和空间受限的设计。
该 MOSFET 还具有良好的热阻性能，能够在较高温度环境下稳定运行。栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，适用于多种控制器和驱动器电路。此外，KTC4075V-GR-RTK/PU 还具备较高的抗雪崩能力，增强了在异常工作条件下的耐用性。
KTC4075V-GR-RTK/PU 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、马达驱动器、电池保护电路、便携式电子产品电源管理、服务器和通信设备电源系统等领域。由于其高电流能力和低导通电阻，它非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计。
Si2302DS、IRLML2402、FDMS3618、AO4406A、FDS6675
