KTC4075-RTK是一款由KEC(韩国电子部件公司)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用高密度单元设计,具备良好的热稳定性和高耐压能力,适用于各种高效率电源转换系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):7A(在25°C下)
最大功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
KTC4075-RTK MOSFET具有出色的导通电阻(Rds(on))特性,通常低于1.5Ω,这使得它在导通状态下能够保持较低的功耗。其高速开关能力使其适用于高频应用,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。此外,该器件具有良好的热稳定性和过载保护能力,可在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于标准的PCB安装和散热片固定方式。其设计允许在高温环境下工作,确保长期运行的可靠性。KTC4075-RTK的栅极驱动要求较低,能够在较宽的栅压范围内正常工作,提高了其在各种控制电路中的兼容性。
此外,KTC4075-RTK具有较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关过程中的损耗并提高整体效率。该器件还具备较强的抗静电能力和过电压保护能力,适用于工业级应用环境。
KTC4075-RTK广泛应用于各种功率电子设备中,如开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路和LED照明驱动器。此外,它也可用于电池管理系统、逆变器以及家用电器中的电源控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能,该MOSFET也适用于要求较高的工业自动化设备和汽车电子系统中的电源管理部分。
KTD1045, 2SK2545, IRF740