KTC4075 LGIR 时间：2025/12/28 15:14:42 阅读：12

KTC4075 LGIR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块以及开关电源设备中。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，能够在高频条件下保持稳定工作，并提供优异的开关性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值32mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC4075 LGIR MOSFET具备多项先进特性，确保其在高性能电源系统中的稳定运行。首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在10A电流条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，其采用先进的沟槽式结构设计，提高了载流能力和开关速度，适用于高频率开关操作。
　　此外，KTC4075 LGIR具有良好的热性能，TO-252（DPAK）封装能够有效散热，避免过热损坏。该MOSFET还具有较强的抗过载能力，能够在瞬态条件下维持稳定工作状态。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，便于与多种驱动电路配合使用。同时，其封装设计符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的应用需求。整体而言，KTC4075 LGIR是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于现代电源管理系统的多种应用场景。

应用

KTC4075 LGIR MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，尤其适用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电源适配器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其优异的导通特性和高频响应能力，也常用于LED照明驱动电源和便携式电子设备的电源管理电路中。