KTC4072V-RTK 时间：2025/12/28 15:05:06 阅读：14

KTC4072V-RTK 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。KTC4072V-RTK 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：10A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs = 10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W

特性

KTC4072V-RTK 采用了先进的沟槽型 MOSFET 工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现尤为出色，适用于需要高效能功率转换的设计场景。
　　KTC4072V-RTK 的最大漏极电流可达 10A，能够满足中高功率应用的需求，例如电源供应器、电池管理系统和电机驱动器等。其高电流能力结合较低的导通电阻，有助于减少热量产生，提高器件的热稳定性。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有良好的栅极抗压能力，从而提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、车载电子系统和户外电源设备等。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和机械稳定性，便于在 PCB 上安装和散热。其封装设计也有助于提高系统的可靠性和耐久性。