KTC4021 时间：2025/12/28 15:03:46 阅读：18

KTC4021 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等功率电子设备中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，能够在高频率下稳定工作，适合用于高效能、高可靠性的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247
　　晶体管配置：单个MOSFET

特性

KTC4021 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适合用于高功率密度设计。该MOSFET具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。此外，KTC4021 的TO-247封装设计具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。器件内部结构优化，具有出色的雪崩能量耐受能力，增强了在突变负载或电压尖峰情况下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽广（通常可使用10V至15V驱动），兼容多种驱动电路设计。
　　在制造工艺方面，KTC4021 通过了严格的品质控制流程，确保其在各种工业和汽车应用中的稳定性和耐用性。该器件还具有良好的抗静电（ESD）保护能力，提高了使用过程中的安全性。

应用

KTC4021 常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换场合。此外，该器件也可用于高功率LED驱动、逆变器和负载开关控制等应用。在汽车电子领域，KTC4021 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统等关键部件中。