KTC3911S-GR 时间：2025/12/28 15:28:29 阅读：11

KTC3911S-GR 是一款由 KEC（东芝合作公司之一）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高电流处理能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该 MOSFET 采用 SOP-8 封装，具有良好的热性能和空间节省的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

KTC3911S-GR 的主要优势在于其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 22mΩ，使该器件在高电流应用中表现优异。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的栅极电压耐受能力，支持高达 ±20V 的栅源电压，提高了在高压或瞬态条件下的稳定性。
　　其 SOP-8 封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合在高密度 PCB 设计中使用。器件内部结构采用沟槽式 MOSFET 技术，进一步优化了载流能力和开关速度。
　　此外，KTC3911S-GR 在工作温度范围上表现出色，能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用中的苛刻条件。

应用

KTC3911S-GR 广泛应用于各类电源管理系统中，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能和小型化设计的场合，如便携式电子产品、工业自动化设备和车载电子系统。
　　在服务器和通信设备中，该 MOSFET 可用于电源模块和稳压电路，提供稳定的功率转换效率。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电，KTC3911S-GR 可用于电源管理单元和负载控制开关，确保设备在低功耗模式下的高效运行。