时间：2025/9/12 12:26:35
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KTC3882 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于需要高效率和高性能的电源系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：连续：10A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.038Ω（Vgs = 10V）
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
KTC3882 的设计采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，这有助于降低导通电阻并提高器件的开关速度。该器件在 Vgs 为 10V 时的 Rds(on) 仅为 0.038Ω，使其在导通状态下能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。
此外，KTC3882 具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，最大功率耗散为 60W，使其能够在高负载条件下稳定运行。该器件的漏极电流能力为 10A，适合用于中高功率的电源转换应用。
该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压，提供了更高的驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力。其 TO-220 封装形式不仅便于安装，还能有效散热，适用于各种工业和消费类电子设备。
在可靠性方面，KTC3882 设计有较高的耐用性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）保持稳定的电气性能。这使其适用于需要在极端环境下运行的应用场景，如汽车电子、工业控制和电源管理设备。
KTC3882 主要用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及各种需要高效率功率控制的电子设备中。由于其优异的导通性能和高功率处理能力，它也常用于需要频繁开关操作的应用中，如开关电源、逆变器以及电源适配器等。
Si444N10TY, IRFZ44N, FDP6N60, KTD1146
