类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：80A
　　漏极-源极击穿电压 (BVDSS)：30V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 7.5mΩ（典型值 5.5mΩ）
　　栅极阈值电压 (VGS(th))：1V 至 2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散 (PD)：100W

KTC3880SY-RTK 具备低导通电阻特性，使其在高电流工作时能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其 TO-220 封装形式有助于散热，适合用于需要高功率密度的设计。该 MOSFET 的快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　在制造工艺上，KTC3880SY-RTK 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，增强了载流能力和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路，包括使用 3.3V 或 5V 电源的微控制器或驱动 IC。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和抗短路能力，有助于提升系统可靠性和使用寿命。
　　该 MOSFET 还具备良好的封装兼容性，可以替代市场上其他同类型功率 MOSFET 使用，降低了设计和采购的复杂度。适用于工业电源、汽车电子、消费类电子以及便携式设备中的高功率开关应用。

KTC3880SY-RTK 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　DC-DC 转换器：用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源管理系统中，提供高效能的电压转换功能。
　　电池管理系统：适用于电动工具、电动车和储能系统中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
　　电机驱动器：用于无刷直流电机、步进电机等控制电路中，提供高效率的功率开关功能。
　　负载开关：用于智能电源管理设备中，实现对负载的快速开关控制。
　　汽车电子：适用于车载电源系统、车载充电器、LED 照明系统等，满足汽车电子对可靠性和稳定性的高要求。

SiR862DP-T1-GE3, IRF3710PBF, FDS8878, AO4407A, NTD4859N