晶体管类型：NPN型
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　频率响应：适合高频应用

KTC3879SO-RTK晶体管具有优异的性能和可靠性，适用于多种电子设备。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，适合用作开关或信号放大器。晶体管的高频响应特性使其在射频（RF）电路和高速开关电路中表现出色。此外，SOT-23封装不仅体积小，便于在紧凑的电路板上安装，还具备良好的热管理和电气性能，能够有效地散热并保持稳定的工作状态。这款晶体管的工作温度范围宽，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
　　在电气特性方面，KTC3879SO-RTK具有较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于减少功耗并提高电路效率。其高电流增益（hFE）使得晶体管能够驱动较大的负载，同时保持较低的基极电流需求。晶体管的快速开关特性也使其在数字电路中表现优异，可以有效减少开关延迟和过渡损耗。

KTC3879SO-RTK晶体管常用于消费类电子产品，如手机、平板电脑和家用电器中的电源管理电路。它也广泛应用于工业控制系统，如传感器电路和自动控制装置。在汽车电子领域，这款晶体管可用于车身控制模块、车载娱乐系统和照明控制系统。此外，它还适用于通信设备，如无线基站、路由器和网络交换机中的射频放大器和信号处理电路。由于其优异的高频特性，KTC3879SO-RTK也可用于射频识别（RFID）系统和无线通信模块。

2N3904, BC547, PN2222