时间：2025/9/11 19:20:25
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KTC3879S是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：120A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：90nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
KTC3879S MOSFET采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有高电流承载能力和出色的热性能，适用于高功率密度设计。此外，其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境中使用。
其TO-263封装形式便于散热，适用于表面贴装工艺，提高了装配的灵活性和可靠性。此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态条件下的稳定性。
KTC3879S常用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，该器件也适用于工业控制、汽车电子和高功率LED驱动等高效率功率转换场景。由于其高可靠性和优异的热管理性能，KTC3879S特别适合需要高稳定性和高效率的电源应用。
IRF1404Z, SiSS50DN04Y, NexFET CSD17501QPA
