KTC3878SY-RTK/P 时间：2025/5/15 15:53:53 阅读：8

KTC3878SY-RTK/P是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，适合在高效率、高频开关电路中使用。
　　该型号由知名半导体厂商生产，其设计旨在满足现代电力电子系统对效率和可靠性的严格要求。通过优化的芯片结构和先进的封装技术，KTC3878SY-RTK/P能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：150W
　　工作温度范围(Topr)：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

KTC3878SY-RTK/P具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
　　2高达50A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关特性，能够适应高频开关场景，减少开关损耗。
　　4. 良好的热性能，确保在高功率运行时的稳定性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　6. 稳定的电气性能，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　7. 宽工作温度范围，可适应极端环境条件下的操作。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
　　4. 电池保护电路中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的直流电机驱动和负载切换。
　　7. 其他需要高效功率转换和开关的应用场景。