时间：2025/12/28 15:05:10
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KTC3876SY是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率场合。该器件采用先进的平面工艺制造，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力。KTC3876SY通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，便于在PCB上安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(VDS)：30V
最大源极电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：连续100A（Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：典型值为5.5mΩ（VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：约180nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KTC3876SY在性能和可靠性方面表现出色。其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具备高电流承载能力，适用于需要大电流驱动的应用场景。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。KTC3876SY还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统长时间运行的可靠性。该器件的封装设计优化了散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
KTC3876SY广泛应用于各类电力电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及高功率负载开关等。其优异的性能使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPB140N10N3 G, STP100N3LLZ
