KTC3875S-Y-RTK/P 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,能够满足多种工业和消费类电子产品的应用需求。
这款 MOSFET 的设计旨在提供快速开关速度以及出色的热稳定性,使其非常适合需要高效功率转换和严格温度控制的应用环境。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ
功耗(PD):2.3W
工作温度范围(Top):-55°C to 150°C
封装形式:TO-252
KTC3875S-Y-RTK/P 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功率损耗。
2. 高速开关能力,适用于高频功率转换场景。
3. 优异的热性能,确保在高温环境下长期稳定运行。
4. 耐用性和可靠性强,符合工业标准要求。
5. 小型化封装设计,便于在空间受限的电路板上安装。
KTC3875S-Y-RTK/P 主要应用于以下领域:
1. 开关电源适配器和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机控制。
3. 消费类电子产品中的负载开关功能。
4. 过流保护和短路保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
KTC3875S-Y-RTK/A, IRFZ44N, FQP17N06