KTC3875S-G-RTK 时间：2025/12/28 15:36:32 阅读：20

KTC3875S-G-RTK 是一款由 KEC（东芝半导体的授权制造商）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为 SOP-8（表面贴装），适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：3.6A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）@ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

KTC3875S-G-RTK 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻仅为 32mΩ，在 Vgs=10V 时能够支持高达 3.6A 的漏极电流，适用于中高功率应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了导电性能并降低了热阻，从而在连续工作状态下保持较低的工作温度，增强器件的稳定性。
　　此外，KTC3875S-G-RTK 的栅极电荷较低，仅为 14nC，这有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的响应速度和能效。该 MOSFET 支持 ±20V 的栅极电压，具有较强的抗过压能力，能够在较为复杂的电源环境中稳定运行。其 SOP-8 封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，非常适合用于紧凑型电路设计。
　　该器件的另一个显著优势是其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），使其在极端环境条件下也能保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的场合。