类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　开关频率：高达1MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

KTC3875S-BL-RTK/H MOSFET具有多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下具有较低的功耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件的高开关速度使其适用于高频应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。此外，KTC3875S-BL-RTK/H具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种电源条件下稳定运行，增强了其应用灵活性。最后，该MOSFET具备较强的抗干扰能力，能够有效抵御外界电磁干扰，确保电路运行的稳定性。
　　在实际应用中，KTC3875S-BL-RTK/H的性能表现优异。其快速的开关响应时间和低门电荷特性有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的漏极-源极击穿电压为30V，确保在多种电压环境下都能安全运行。在过载或短路情况下，该MOSFET能够承受一定的电流冲击，从而为系统提供一定的保护能力。同时，其工作温度范围较宽，可在极端环境下保持稳定性能，适用于工业级和消费类电子产品。

KTC3875S-BL-RTK/H MOSFET广泛应用于多个领域，包括DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电电路、负载开关、信号切换以及低功耗便携式电子设备中的功率控制电路。此外，它也常用于LED驱动、电机控制、继电器替代和各类开关电源设计中。

2N3904, 2N2222, KTC3875S-BL-RTK