时间：2025/9/11 16:18:26
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KTC3875-ALY 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在高效率电源系统中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
KTC3875-ALY 的核心特性包括极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压应用。此外，该器件具备高电流承载能力，能够承受较大的负载电流而不发生热失效。器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热性能，可在高温环境下稳定工作。
这款MOSFET还具备出色的短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和效率。器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制器的接口设计。综合这些特性，KTC3875-ALY 是一款适用于高功率密度设计的理想功率MOSFET。
KTC3875-ALY 主要应用于高功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源设备、工业自动化设备以及新能源汽车的电力电子系统中。由于其优异的导通性能和热管理能力，特别适合在需要高效率和高可靠性的电源系统中使用。
TKA150N60X, IRFP4468PBF, IPP150N6S4-03
