晶体管类型：NPN
　　封装类型：TO-92
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　最大工作频率：100MHz

KTC3536T-RTK/P晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管的高增益带宽积达到250MHz，非常适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。其次，其电流增益（hFE）范围宽广，根据不同的等级划分，从110到800不等，使得设计者可以根据具体应用需求选择合适的器件，从而优化电路性能。
　　此外，KTC3536T-RTK/P的集电极-发射极电压（VCEO）为50V，集电极电流为150mA，能够满足中等功率应用的需求。其功耗为300mW，适合在需要较低功耗但要求稳定性能的电路中使用。封装形式为TO-92，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于通孔安装，便于在印刷电路板（PCB）上进行焊接和固定。
　　该晶体管的工作温度范围较宽，从-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对温度适应性要求较高的应用场景。此外，KTC3536T-RTK/P具有较低的噪声系数和较高的线性度，适合用于音频放大和低噪声前置放大电路中，提供更清晰的信号传输效果。
　　在制造工艺方面，KTC3536T-RTK/P采用先进的双极型半导体工艺，确保了器件的高可靠性和长使用寿命。其内部结构设计合理，减少了寄生电容和电阻，提高了高频响应特性。这些优点使得KTC3536T-RTK/P在各类电子系统中具有广泛的应用潜力。

KTC3536T-RTK/P晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适合高频信号放大和低噪声放大电路。其典型应用包括射频（RF）和中频（IF）放大器、音频前置放大器、电压调节器、振荡器和开关电路等。
　　在通信设备中，KTC3536T-RTK/P可用于射频前端放大器和中频放大模块，提供良好的增益和稳定性，确保信号传输的高质量。在音频设备中，由于其低噪声特性和高增益性能，常被用于前置放大电路和音频信号处理模块，提升音质清晰度。
　　此外，该晶体管还可用于工业控制系统中的信号调理电路和传感器接口电路，实现对微弱信号的放大和处理。在消费类电子产品中，如收音机、电视机、录音设备等，KTC3536T-RTK/P也常用于音频放大和电源控制电路。
　　由于其良好的温度特性和可靠性，KTC3536T-RTK/P也可应用于汽车电子系统、安防监控设备、智能仪表等对环境适应性要求较高的领域。

KTC3536T-RTK/P的替代型号包括2N3904、BC547、KTC3198、KRC102S、KRA102S等。