时间：2025/12/28 14:59:13
阅读：9
KTC3535T 是一款由Korea Electronics Technology (KET)生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和开关应用中。该器件设计用于高效能、低损耗操作，并具有良好的热稳定性和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源开关、负载开关以及各种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：约5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
KTC3535T具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其先进的沟槽式MOSFET结构提供了优异的开关性能和热稳定性，适用于高频率开关操作。
该器件的封装采用TO-220标准封装，便于散热并适用于常见的PCB布局设计。此外，KTC3535T具有良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了器件在严苛环境下的可靠性和耐用性。
其栅极驱动设计允许在较低的栅极电压下运行，兼容常见的驱动电路，降低了系统设计的复杂性。KTC3535T还具备较高的短路耐受能力，适合在需要高可靠性的应用中使用，例如电源管理和电动工具驱动器。
总体而言，KTC3535T是一款性能稳定、适用范围广泛的功率MOSFET，适用于多种高电流、高频开关环境，能够满足工业、消费电子及汽车电子领域对高性能功率器件的需求。
KTC3535T 主要应用于各种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关控制、电源管理模块、LED驱动器以及工业自动化设备中的开关电源部分。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换系统的理想选择。
SiHF60N30E, FDP60N30, IRFZ44N, STP60NF06, IPP60N30P
