KTC3265EY 时间：2025/8/17 0:33:22 阅读：6

KTC3265EY是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。这款MOSFET专为高效能、低损耗设计，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、LED照明以及各种高功率电子设备。KTC3265EY采用高性能硅技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够承受较大的连续漏极电流，适合高效率、高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25℃）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-247

特性

KTC3265EY的主要特性包括其低导通电阻，使其在高电流应用中具备极低的导通损耗，从而提升整体系统效率。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式硅工艺，优化了开关性能，减少开关损耗，适用于高频率开关电路。
　　此外，KTC3265EY具备较高的热稳定性与良好的热阻特性，确保在高负载工作环境下仍能保持稳定运行。
　　其高耐压能力（60V）使得该器件适用于多种中高功率应用，如汽车电子系统、工业电源和电机驱动器。
　　TO-247封装设计提供了良好的散热性能，适用于需要高效散热的高功率电路设计。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩击穿能力，增强了器件在高压瞬态环境下的可靠性。

应用

KTC3265EY广泛应用于各种高功率和高效率电源系统，包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、大功率开关电源、马达控制驱动器、LED照明系统、电池充电器以及汽车电子设备（如车载逆变器或电动工具驱动电路）。
　　由于其优异的导通特性和高耐压能力，该MOSFET特别适合于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及新能源系统（如太阳能逆变器）中的功率转换模块。