KTC3072D-Y-RTF/P 时间：2025/9/12 10:37:13 阅读：13

KTC3072D-Y-RTF/P 是由 KEC Corporation 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面条形技术，提供了高效的开关性能和低导通电阻。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KTC3072D-Y-RTF/P 具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的平面条形技术，确保了稳定的电气性能和良好的热管理能力。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持在 4V 至 20V 的范围内工作，使其适用于多种驱动电路设计。其高耐压能力（60V VDS）使其能够在中高功率应用中可靠运行。
　　TO-252 封装形式不仅便于表面贴装，还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高电流条件下的稳定性。此外，该器件具有高抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压，增强了系统的可靠性。
　　KTC3072D-Y-RTF/P 还具有快速开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其高电流承载能力（80A ID）使其适用于大功率负载控制，如电机驱动和电源管理系统。

应用

KTC3072D-Y-RTF/P 广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高效率和高可靠性，该 MOSFET 也适用于需要高功率密度和紧凑设计的电子设备中。