KTC2875 时间：2025/9/12 10:36:49 阅读：14

KTC2875是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。KTC2875通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各种高功率密度应用中。这款MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：150A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KTC2875具备多项优良特性，使其在功率MOSFET领域中具有竞争优势。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这对于高电流应用尤为重要，可以有效减少发热并提高整体性能。
　　其次，KTC2875采用了先进的沟槽结构设计，增强了器件的开关速度，从而降低了开关损耗。这种特性使其在高频开关应用中表现出色，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下持续工作。TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，进一步增强了器件的可靠性。
　　最后，KTC2875的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的5V至20V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。

应用

KTC2875因其优异的性能而被广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于同步整流器、DC-DC转换器以及负载开关等电路中，以提高转换效率并减少热量产生。
　　在电池管理系统中，KTC2875可用于电池充放电控制，其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率电池组的理想选择。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源模块、电动工具、电动车控制器以及高功率LED驱动器等应用场合。
　　由于其出色的热性能和可靠性，KTC2875也适用于需要长时间高负载运行的工业设备，如不间断电源（UPS）和服务器电源系统。