时间：2025/12/28 15:56:28
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KTC2825D-RTF/HW 是由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。KTC2825D-RTF/HW 采用 DFN5x6 封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合在高密度和高效率的电源系统中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：DFN5x6
KTC2825D-RTF/HW MOSFET 具有以下几个显著特性：
首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得该器件非常适合用于高效率的电源转换器和负载开关应用。
其次，采用先进的沟槽式技术使得器件具有更高的电流密度和更好的热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
此外，DFN5x6 封装提供了较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适合在空间受限的设计中使用。该封装还减少了寄生电感，有助于提高高频开关性能。
最后，KTC2825D-RTF/HW 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护，确保系统稳定运行。
KTC2825D-RTF/HW 广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计中。此外，它还可用于电源管理 IC（PMIC）的外围电路、服务器和通信设备的电源模块，以及汽车电子系统中的功率控制部分。
SiR182DP-T1-GE3, IRF182PBF, FDS6820A, AO4828
