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KTC2815 发布时间 时间:2025/12/28 14:39:16 查看 阅读:13

KTC2815 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种功率控制电路中。这款器件以其高耐压、大电流能力以及较低的导通电阻(Rds(on))而受到欢迎,适合用于中高功率的应用场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大连续漏极电流(Id):4.7A
  最大功率耗散(Pd):1.4W
  导通电阻(Rds(on)):约 28mΩ(在 Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KTC2815 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高整体系统效率。该器件的导通电阻在 Vgs = 10V 时约为 28mΩ,这在同类器件中表现优异。
  此外,KTC2815 具有较高的电流承载能力,最大连续漏极电流可达 4.7A,适用于需要较大负载电流的场合。其最大漏源电压为 20V,能够支持多种低压电源管理系统。
  该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具备良好的热性能和机械稳定性,适合在紧凑的 PCB 布局中使用。其封装设计也有助于散热,从而提高器件在高负载下的可靠性。
  KTC2815 还具备良好的栅极驱动特性,能够在较低的栅极电压下实现快速导通和关断,减少开关损耗。其栅源电压最大为 ±12V,建议驱动电压为 10V 以确保完全导通。
  在可靠性方面,KTC2815 支持 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围,适用于工业级和汽车电子应用。其热稳定性良好,能够在高温度环境下保持稳定性能。

应用

KTC2815 主要应用于各种电源管理系统,如 DC-DC 降压或升压转换器、同步整流器、电池充电电路以及负载开关控制。由于其低导通电阻和较高的电流能力,特别适用于需要高效能和小型化设计的电源模块。
  在工业自动化和控制系统中,KTC2815 可用于电机驱动、继电器替代以及高边/低边开关应用。在消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等,该 MOSFET 可用于电源管理电路,提高能效并延长电池寿命。
  此外,KTC2815 也适用于 LED 驱动、热插拔电源控制和各种类型的负载切换电路,满足多种中低功率应用场景的需求。

替代型号

Si2302DS, FDS6675, IRF7413, AO4406

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