类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：0.8V ~ 2.5V
　　功耗（Pd）：4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

KTC2715SO 是一款高性能的功率MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）的特性，使其在高电流应用中具备较低的功率损耗。该器件在Vgs=4.5V时导通电阻仅为18mΩ，有助于提高能效并减少热量生成。
　　此外，该MOSFET具备较高的连续漏极电流能力，最大可达6A，适合用于需要高负载能力的电路设计。其SO-8封装形式支持表面贴装技术，适合自动化生产流程，同时有助于减小PCB板的空间占用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至12V之间均能稳定工作，使其适用于多种栅极驱动电路设计。此外，其导通阈值电压范围为0.8V至2.5V，确保在不同控制电压条件下都能可靠导通。
　　在可靠性方面，KTC2715SO 具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适应各种严苛的环境条件。其最大功耗为4W，表明其具备良好的散热性能，适用于需要长时间运行的工业和消费类电子产品。

KTC2715SO MOSFET广泛应用于电源管理电路，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于便携式电子设备的电源控制，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。此外，它也常用于马达控制、LED驱动器和电源分配系统，为各种高效率电源应用提供可靠的解决方案。

Si2302DS, AO3400, IRF7401, FDS6680