类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃

KTC2714-O MOSFET采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其低导通电阻使得在高电流应用中发热更少，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该器件的最大漏极电流可达120A，适用于高功率需求的应用，如同步整流、DC-DC转换器以及电池管理系统。漏极-源极电压为30V，适合中低压电源应用。其栅极-源极电压为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与常见的PWM控制器配合使用。
　　该MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。封装形式也便于贴片安装，适用于自动化生产流程。同时，其宽广的工作温度范围（-55℃ ~ 175℃）确保了在极端环境下的稳定运行。
　　KTC2714-O的高可靠性、低导通损耗和优异的热性能，使其成为电源管理、负载开关、马达控制等应用的理想选择。通过优化设计，可以有效降低系统功耗并提升整体效率。

KTC2714-O MOSFET主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备。此外，它也适用于服务器电源、通信设备电源和工业控制系统等高要求的电子设备中。

SiR182DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, SQJA40EP