KTC2025D-Y 时间：2025/9/11 14:29:38 阅读：20

KTC2025D-Y 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用高密度单元设计，具备优异的导通电阻特性和高耐压能力，适合用于 DC-DC 转换器、电池充电器和负载开关等场景。KTC2025D-Y 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能和较高的可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC2025D-Y 具备多项优良特性，适用于中高功率应用领域。
　　首先，其漏源电压（Vds）为 250V，能够承受较高的电压应力，适用于高压功率转换电路，如 AC-DC 电源、电机驱动器和工业控制设备。漏极电流能力为 5A，可以在中等电流负载下稳定工作。
　　其次，该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）典型值为 0.45Ω 或更低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要长时间工作的电源系统尤为重要。
　　再者，KTC2025D-Y 采用 TO-252 封装，具备良好的热性能和机械稳定性。这种封装形式便于焊接和安装，同时也有利于热量的快速散发，确保器件在高负载下依然保持稳定性能。
　　此外，该器件具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定，提高了整体系统的可靠性和耐久性。
　　最后，其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于与多种控制 IC 和驱动电路配合使用。

应用

KTC2025D-Y 广泛应用于多种电源和功率控制电路中。
　　在电源系统中，它常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器中作为主开关器件，负责高效率的能量传输和电压调节。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，特别适合用于 Boost 和 Flyback 拓扑结构。
　　在工业控制领域，该 MOSFET 可用于继电器替代、电机驱动和负载开关控制。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下也能稳定运行。
　　此外，KTC2025D-Y 还适用于消费类电子产品，如智能家电、LED 照明驱动和不间断电源（UPS）等，提供高效、稳定的功率控制方案。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动工具和车身控制系统中，满足汽车应用对可靠性和耐久性的严格要求。