时间：2025/9/12 10:56:02
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KTC2020D-GR 是由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的平面条形技术，具有低导通电阻和高可靠性。该器件广泛用于各种电源管理和开关应用，具有良好的热稳定性和耐用性。KTC2020D-GR 采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，适用于消费类电子产品、工业控制、电池管理系统和开关电源等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(ON)）：约 0.17Ω（在 VGS=10V 时）
最大栅-源电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KTC2020D-GR 采用先进的平面条形技术，提供较低的导通电阻（RDS(ON)），从而降低导通损耗并提高能效。
该 MOSFET 具有高耐压特性，最大漏-源电压可达 200V，适合用于高压开关电路。
其 TO-252（DPAK）封装具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性。
由于其优异的性能参数，KTC2020D-GR 适用于多种电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器以及负载开关等应用。
KTC2020D-GR 主要用于以下领域：电源管理电路、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、负载开关、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率开关控制等场景。其优异的导通特性和高耐压能力使其在高压和高电流应用中表现出色。
2SK2020D-GR, 2SK2020, KTC2020D-LF, KTC2020G-GR
