KTB2510 是一款由韩国电子元件制造商 KEC(金星电子)推出的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用 TO-220 封装,具备高耐压、大电流和低导通电阻的特点,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制及电池充电器等场合。KTB2510 的设计使其在高频率工作条件下仍能保持良好的效率和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):0.065Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):150W
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
KTB2510 MOSFET 在功率电子应用中表现出色,其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。首先,该器件的导通电阻 Rds(on) 仅为 0.065Ω,在 Vgs=10V 的条件下,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。这对于高频开关应用尤为重要。
其次,KTB2510 的最大漏极电流可达 30A,适用于高功率输出的场合,如电源模块和马达驱动器。其 100V 的漏源耐压能力使其能够适应多种中高功率 DC-DC 转换器和开关电源设计。
此外,该 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,可在较高环境温度下稳定工作。TO-220 封装也便于安装在散热片上,进一步提升其热管理能力。
KTB2510 还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提升整体系统效率。这使得它在 PWM 控制、电源转换以及负载开关等应用中具有良好的表现。
KTB2510 广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
? 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器件使用,提供高效率和低损耗的功率转换。
? DC-DC 转换器:适用于升压、降压或反相拓扑结构,用于工业控制、通信设备和电动汽车系统。
? 电池充电器与管理系统:用于控制充放电电流,确保电池的安全和高效运行。
? 电机驱动与负载开关:适用于电动工具、风扇控制、继电器替代等场合,提供可靠的高电流开关能力。
? 逆变器和不间断电源(UPS):在这些系统中,KTB2510 可以作为功率开关器件,确保高效率的能量转换。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF10, IRLZ44N