KTB1368V 时间：2025/12/28 14:46:50 阅读：17

KTB1368V是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各类电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面条形沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点。KTB1368V采用TO-220封装，适合中高功率应用场合，如DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器和电源开关等。其设计目标是提供高效、稳定且耐用的功率解决方案，适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：130A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

KTB1368V具有多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下可低至约2.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而适用于高频开关应用。此外，KTB1368V具有较高的电流承载能力，在Tc=25℃下可承受高达130A的连续漏极电流，满足高功率需求。该MOSFET还具备良好的热稳定性，其TO-220封装有助于有效的热量散发，确保在高负载条件下仍能稳定运行。同时，KTB1368V的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。最后，其高可靠性设计使其在恶劣环境下也能保持稳定的性能，非常适合工业级和高可靠性应用场景。

应用

KTB1368V主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（如电动车、电动工具）、电源开关电路以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其高电流承载能力和低导通电阻，KTB1368V也常用于高功率LED驱动、不间断电源（UPS）及开关电源（SMPS）中。在消费类电子产品中，如大功率充电器、智能家电和变频空调中也有广泛应用。