KTB1260Y 时间：2025/12/28 15:13:26 阅读：10

KTB1260Y是一款由Kec Corporation生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率的应用场景。该器件采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的可靠性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等多种电子系统设计。KTB1260Y的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合在工业环境和高要求的消费电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值1.2mΩ（典型值可能更低）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

特性

KTB1260Y具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET支持高达100A的连续漏极电流，能够胜任高功率负载的需求。此外，KTB1260Y具备良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。其TO-220封装形式也便于安装在散热片上，提高散热效率。另外，该器件的栅极驱动电压范围宽，通常可以在10V至20V之间工作，确保了在不同驱动电路中的兼容性。最后，KTB1260Y还具备较高的耐用性和长期稳定性，能够在长时间运行中保持优异的性能。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，在某些过载或异常条件下仍能保持一定的工作能力，有助于提高系统的整体安全性。同时，KTB1260Y的开关速度快，能够满足高频开关应用的需求，如DC-DC转换器、同步整流等。这些特性共同确保了KTB1260Y在多种高功率应用中的高效、可靠运行。

应用

KTB1260Y广泛应用于多种需要高电流和高效率的电子系统中。其主要应用场景包括电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，KTB1260Y非常适合用于电机驱动电路，如无刷直流电机控制、电动车控制器等。在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动模块和工业电源设备。此外，KTB1260Y也可用于汽车电子系统，如车载充电器、启动系统、电动助力转向系统等。由于其良好的热性能和可靠性，该器件还适用于LED照明驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等高功率应用场合。