KTB1260O 时间：2025/9/11 19:26:21 阅读：18

KTB1260O 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics Corporation）生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统。KTB1260O采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和较高的电流承载能力，适合在中高功率应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5mΩ（典型值，取决于Vgs）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTB1260O具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供优异的开关性能，减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，KTB1260O的封装设计有助于良好的散热，提升器件在高负载条件下的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在高能量应力下的稳定性。
　　KTB1260O在汽车电子、工业电源、储能系统以及电机驱动等领域具有广泛的应用潜力。

应用

KTB1260O广泛应用于各类高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及电动汽车相关电源模块。
　　其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效率和高功率密度的电源设计。此外，它也可用于负载开关、电机驱动器以及各种需要快速开关性能的功率控制应用。
　　由于其良好的热稳定性和封装散热性能，KTB1260O也适用于需要长时间高负载工作的系统，如服务器电源、UPS不间断电源和储能逆变器等。