KTA7023AF-RTF 时间：2025/9/11 12:30:08 阅读：10

KTA7023AF-RTF 是一款由Korea Electronics Technology Institute（KETI）开发的电子元器件，主要应用于高效率的功率开关电路中。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性。KTA7023AF-RTF 主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种功率调节系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（PD）：200W

特性

KTA7023AF-RTF 的主要特性包括优异的导通性能、极低的RDS(on)以及高功率密度，使其非常适合用于高效率的功率转换系统。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。此外，KTA7023AF-RTF 具有高雪崩耐受能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。其表面贴装封装设计有助于简化PCB布局，并提高散热效率，确保器件在高温环境下依然稳定工作。
　　该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、负载开关和电源管理系统。KTA7023AF-RTF 还具有较高的栅极驱动兼容性，能够与多种控制器配合使用，从而增强系统设计的灵活性。

应用

KTA7023AF-RTF 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统、电机驱动、功率因数校正（PFC）电路以及汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其在需要高效能功率管理的场合中表现出色。此外，该器件也常用于高性能计算设备、服务器电源模块和可再生能源系统中的功率转换。