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KTA701E-GR 发布时间 时间:2025/12/28 15:45:21 查看 阅读:13

KTA701E-GR 是一款由东芝(Toshiba)生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率和低噪声应用而设计,适用于射频(RF)放大、前置放大器以及其他需要高增益和低噪声系数的电子电路。KTA701E-GR采用了东芝的先进制造工艺,具有良好的高频性能和稳定性。该器件通常采用SOT-323(SC-70)小型封装,适合用于空间受限的便携式电子产品中。由于其优异的电气性能和紧凑的封装,KTA701E-GR广泛应用于通信设备、无线模块、音频放大器和传感器电路中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Ptot):100 mW
  过渡频率(fT):80 MHz
  电流增益(hFE):110 ~ 800(根据等级划分)
  噪声系数(NF):0.8 dB @ 1 kHz
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)

特性

KTA701E-GR 拥有出色的高频响应和低噪声特性,使其成为射频和音频放大应用的理想选择。其80 MHz的过渡频率(fT)确保了晶体管在较高频率下仍能保持良好的增益性能。该晶体管的噪声系数低至0.8 dB,在1 kHz测试条件下,适合用于高灵敏度信号放大电路,如前置放大器和传感器信号调理电路。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,具体值取决于器件的等级划分,用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。这种灵活性使得KTA701E-GR适用于多种放大电路设计,包括电压放大、电流开关和功率放大等场景。
  KTA701E-GR采用SOT-323封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和机械强度。该封装形式也便于自动化贴片生产,提高制造效率。此外,该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。
  在可靠性方面,KTA701E-GR通过了严格的测试标准,具备良好的长期稳定性和耐用性。其最大集电极电流为100 mA,集电极-发射极和集电极-基极电压均为50 V,适用于多种低压至中压应用。最大功耗为100 mW,确保在小尺寸封装下仍能保持良好的散热性能。

应用

KTA701E-GR 主要应用于射频(RF)放大器、前置放大器、音频放大器、无线通信模块、传感器接口电路、便携式电子设备和工业控制系统等领域。在射频应用中,它可作为低噪声放大器(LNA),提高接收信号的灵敏度和清晰度;在音频系统中,可用于前置放大和信号增强,提高音质表现;在无线模块中,常用于射频信号的调制与解调;在传感器电路中,用于放大微弱信号以提高测量精度。此外,由于其小尺寸封装和低功耗特性,也广泛用于电池供电设备和手持仪器中。

替代型号

KTC3199-Y, 2N3904, BC817, KSC1623

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