晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流 (Ic)：100mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30V
　　最大发射极-基极电压 (Veb)：5V
　　最大功耗 (Pd)：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益 (hFE)：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率 (fT)：100MHz
　　封装类型：SOT-23

KTA2014E-GR-RTK/H 晶体管具有优异的高频性能，过渡频率 (fT) 高达 100MHz，适用于需要高频响应的电路设计。该晶体管的电流增益 (hFE) 范围较宽，从 110 到 800，具体取决于器件的等级，使得它在不同应用中具有较高的灵活性。此外，它具有较低的饱和压降 (Vce(sat))，有助于降低功耗并提高效率。
　　该晶体管采用了 SOT-23 小型封装，节省空间且便于自动化生产，适用于表面贴装技术 (SMT)。这种封装形式也提高了器件的热稳定性和可靠性。KTA2014E-GR-RTK/H 的最大集电极电流为 100mA，最大集电极-发射极电压为 30V，使其能够胜任中等功率的开关和放大任务。
　　在工作温度方面，该晶体管可以在最高 150°C 的环境下正常工作，表现出良好的热稳定性。这种特性使其能够在较宽的温度范围内可靠运行，适用于工业级应用。此外，晶体管的低功耗设计也进一步提高了其在便携式电子设备中的适用性。

KTA2014E-GR-RTK/H 主要应用于高频放大电路，例如射频 (RF) 放大器和前置放大器，能够有效处理高频信号并提供稳定的增益。此外，它也广泛用于开关电路，例如数字电路中的晶体管开关，能够快速切换高负载电流。该晶体管还适用于音频放大器、振荡器和混频器等模拟电路设计。
　　在消费类电子产品中，KTA2014E-GR-RTK/H 可用于手机、便携式音频设备和无线通信模块等设备中的信号放大和开关控制。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号处理、继电器驱动和电机控制等应用场景。由于其良好的高频性能和可靠性，它也适用于测试设备和测量仪器中的关键电路部分。
　　此外，KTA2014E-GR-RTK/H 还可以用于电源管理电路，例如 DC-DC 转换器和稳压电路，以提高能量转换效率。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块、照明系统和车载娱乐设备等应用。

BC847, 2N3904, PN2222A