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KTA2014 发布时间 时间:2025/5/28 17:28:04 查看 阅读:16

KTA2014是一种基于IGBT技术的功率半导体器件,广泛应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有高耐压、大电流、低开关损耗等特点,能够适应多种工业和消费电子场景。

参数

型号:KTA2014
  额定电压:1200V
  额定电流:20A
  最大集电极-发射极饱和电压:2.5V
  最大栅极-发射极阈值电压:4V~6V
  开关频率:最高可达20kHz
  工作温度范围:-40℃~150℃
  封装形式:TO-247

特性

KTA2014采用先进的IGBT芯片设计工艺,具有较低的导通损耗和开关损耗,适合高频应用场合。其内部集成有快速恢复二极管(FWD),可有效降低反向恢复损耗并提高整体效率。
  此外,KTA2014具备较强的短路承受能力,在短时间内可以承受高达3倍的额定电流而不损坏。这使其在复杂电路环境下具有更高的可靠性和稳定性。
  由于采用了优化的热设计,该器件能够在高温条件下保持良好的性能表现,并且散热效果优异,非常适合长时间连续运行的应用场景。

应用

KTA2014主要应用于各种功率转换设备中,包括但不限于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动车控制器、家用电器变频驱动等。它还可以用于工业自动化控制中的各类开关电源模块以及需要高效能量转换的电子系统中。
  由于其出色的性能指标和广泛的适用性,KTA2014成为许多工程师在设计高性能功率转换电路时的理想选择。

替代型号

KTA20N120,
  FGA20N120,
  IRGB20B120D
  

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