KTA2012V-RTK/P 时间：2025/9/12 9:54:01 阅读：23

KTA2012V-RTK/P 是一款由 KEC（东芝半导体子公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换和电机控制应用，适用于需要高电流处理能力和低导通电阻的场景。封装形式为 TO-252（DPAK），便于在 PCB 上安装并提供良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：12A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KTA2012V-RTK/P 具有低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　其高耐压特性（60V VDS）使其适用于多种中功率应用，包括 DC-DC 转换器、电池管理系统和电机驱动电路。
　　该 MOSFET采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。
　　TO-252 封装具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了 PCB 设计并提高了生产效率。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种控制电路设计，增强了系统的灵活性。

应用

KTA2012V-RTK/P 主要用于开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池充电器等应用。
　　在工业自动化设备中，该 MOSFET可用于驱动继电器、LED 灯组和小型电机。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源适配器、平板电脑充电电路中也有广泛应用。
　　此外，其良好的热稳定性和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、车载逆变器等。