KTA1862D-Y-RTF 时间：2025/12/28 15:11:50 阅读：20

KTA1862D-Y-RTF是一款由Korea Electronics Technology Institute（KETI）开发的高性能射频（RF）功率晶体管，适用于高频和高功率应用场景。该器件采用先进的硅双极型晶体管技术，具备高效率、高可靠性和优异的热性能。

参数

类型：射频功率晶体管
　　材料：硅（Si）
　　晶体管类型：NPN双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极电流：5A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大发射极-基极电压：5V
　　最大工作频率：1GHz
　　功率输出：50W @ 900MHz
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

特性

KTA1862D-Y-RTF是一款专为射频功率放大设计的高性能晶体管，广泛应用于无线通信、广播设备、测试仪器以及工业控制系统中。该器件在高频段表现出色，具备出色的线性度和效率，能够在较高的工作频率下保持稳定的性能。其高功率输出能力使其非常适合用于需要高能量密度和高可靠性的应用环境。此外，该晶体管具有良好的热管理和低热阻特性，可有效降低工作时的温度升高，从而延长器件的使用寿命。
　　KTA1862D-Y-RTF采用标准的TO-220AB封装形式，便于安装和散热设计，适用于多种射频电路拓扑结构。其设计确保了在不同工作条件下均能保持稳定的性能，具备良好的抗干扰能力和抗过载能力。在射频通信系统中，该晶体管可用于高功率放大器、驱动放大器以及发射机前端模块，为系统提供高效、稳定的信号放大功能。