KTA1360 是一款常用的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-92封装,适合于中低功率的开关应用。其设计具有较高的可靠性和稳定性,能够承受一定的电流和电压负载,因此在工业控制、消费电子和汽车电子等领域有广泛的应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):150mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-92
KTA1360 MOSFET 具有良好的导通特性和较低的导通电阻,能够在高频条件下稳定工作,适用于需要快速开关的应用场景。其TO-92封装形式便于手工焊接和安装,适合小批量生产和原型设计。此外,KTA1360 还具有较强的抗静电能力,能够在一定程度上防止静电损坏。该器件的热稳定性良好,能够在较高温度环境下保持正常工作,适合用于对可靠性有一定要求的电子系统中。
KTA1360 的栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准的5V或12V逻辑电平进行控制,这使得它能够方便地与各种微控制器或驱动电路配合使用。在实际应用中,KTA1360 可以用于驱动小型继电器、LED指示灯、电机和各种负载开关电路。
KTA1360 常用于以下应用场景:电源管理系统中的开关控制、小型继电器的驱动、LED照明控制电路、电池供电设备中的电源管理、工业自动化控制电路、消费类电子产品中的信号开关、汽车电子中的低功率控制电路。
2N7000, 2N7002, BS170, FDV301N