KTA1273YAT 时间：2025/12/28 15:28:11 阅读：9

KTA1273YAT 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率放大应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

KTA1273YAT 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为30mΩ，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提高了电流承载能力和开关性能，适用于高频率开关操作。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗电压波动能力，适合用于各种电源管理电路中。
　　该器件的连续漏极电流可达12A，适合中高功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
　　此外，KTA1273YAT 采用SOP-8封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力，有助于提高系统的可靠性和使用寿命。

应用

KTA1273YAT 广泛应用于电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中。
　　该器件也适用于电机控制和继电器驱动应用，能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式电源设备中，KTA1273YAT 可作为高效的功率开关元件。
　　此外，该MOSFET还可用于LED驱动、电源适配器和工业控制设备中的功率管理模块。
　　由于其优异的高频开关性能，KTA1273YAT 也适用于射频功率放大器和开关电源设计。