KTA1268-GR 时间：2025/12/28 15:14:20 阅读：12

KTA1268-GR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，采用高密度单元设计，适用于高电流和低导通电阻的应用场景。该器件采用SOP（Small Outline Package）封装，具备良好的热稳定性和电气性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ（最大）
　　功率耗散(Pd)：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

KTA1268-GR 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够承受较大的工作电流而不发生热失效，适合用于紧凑型电源设计。
　　其SOP-8封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，适用于各种高密度PCB布局场景。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至12V的栅极驱动，兼容多种控制IC和逻辑电平电路。
　　在安全性和可靠性方面，KTA1268-GR具有良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。

应用

KTA1268-GR 常用于电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，实现高效的电压转换。
　　该器件也广泛用于负载开关电路，用于控制电池供电设备中的电源分配。
　　此外，KTA1268-GR 还适用于小型马达控制、LED驱动、USB电源开关以及各种需要高效率、小尺寸功率开关的场合。